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NB-IoT芯片評測報告

2018-10-23

9月14日“2018年中國電信智能終端技術(shù)論壇”上,中國電信廣東研究院終端研發(fā)中心副總經(jīng)理程貴鋒代表中國電信移動終端研究測試中心,發(fā)布了《中國電信2018終端洞察報告》。

在《NB-IoT芯片評測報告》中,中國電信對聯(lián)發(fā)科、華為海思、中興微電子、紫光展銳和高通等5家芯片商,6款產(chǎn)品,4大性能特性,11項評測指標。結(jié)果顯示,2018年芯片比2017年芯片功耗優(yōu)化明顯,提升50%至100%;對標3GPP要求:所有芯片深覆蓋特性已達標,聯(lián)發(fā)科芯片續(xù)航可達10年。


其中《NB-IoT芯片模組評測報告》覆蓋了6款芯片、37款模組,芯片方面:

  • 功耗:聯(lián)發(fā)科MT2625最優(yōu),高通MDM9206最差;

  • 時延:中興微ZX297100=紫光RDA8908=高通MDM9206最優(yōu),華為海思Hi2110=華為海思Hi2115最差;

  • 速率:各芯片間差異較小,聯(lián)發(fā)科MT2625在各場景下均最優(yōu);

  • 覆蓋:各芯片間差異較小,華為海思Hi2110=華為海思Hi2115最優(yōu)。





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